SISS588DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SISS588DN-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.36 |
10+ | $1.213 |
100+ | $0.9455 |
500+ | $0.781 |
1000+ | $0.6166 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8S |
Serie | TrenchFET® Gen V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (max) | 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8S |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1380 pF @ 40 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28.5 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 16.9A (Ta), 58.1A (Tc) |
MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
VISHAY DFN
MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
VISHAY PAK1212
MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK
MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
VISHAY PAK1212
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SISS588DN-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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